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SFE-1型超临界二氧化碳清洗系统
一、概述:
超临界二氧化碳无损伤清洗设备。应用此设备对硅片进行清洗的颗粒明显减少,且平均粒径小于传统清洗的粒径。相对用等离子法清洗,该方法不会对硅片造成损伤,同时可减少工艺步骤,节省时间,提高工作效率。
超临界二氧化碳无损伤清洗设备拥有良好的温度和压力控制系统,并配有远程智能化操作系统,是一个适合高校和科研机构的半导体工艺平台。该设备有望解决微电子行业清洗工艺中的许多难题,例如刻蚀以及灰化后高纵深比结构清洗、刻蚀以及灰化后多孔低介电材料清洗、清洗后干燥、半导体器件金属颗粒的清洗等
超临界超声清洗目前应用领域很广的是核电特种清洗、电子电路芯片的清洗以及精密机加工件的表面和层隙清洗。
二、应用范围:
在半导体方面,超临界二氧化碳清洗逐步代替刻蚀及灰化后产生的高纵深比机构和成品芯片上的辅焊剂、金属残屑采用传统的去离子水冲洗、酸蚀浸泡清洗、清洗剂清洗;
在新能源电动汽车制造方面,超临界二氧化碳清洗正被应用于对车轮毂层析片微隙间的清洗油污、微粒作业;
在精密工件以及铀屑方面,超临界二氧化碳清洗的优势得到很大的发挥,其具有的清洗物分离简单,收集方便,表面无需处理、环保节能被发挥得*;
三、SFE-1型超临界二氧化碳清洗系统主要技术参数:
主
要
性
能
指
标
序号
项目名称
性能参数
1
工作压力
≤50MPa
2
工作温度
室温~90℃
3
清洗釜
1L/35MPa
4
清洗工装
塔式锁紧结构 2-24片
5
回收釜
2×0.6L/30MPa
6
制冷系统
4470kcal/h 温控范围:-5℃~﹢5℃ 风冷
7
二氧化碳储罐
2L/16MPa
8
二氧化碳泵
50L/h 50MPa 三柱塞变频可调
9
电源
AC380V 50Hz 三相五线 9kW
设备优势
1、清洗工装采用塔式结构,并设置均布系统,保证每片样品都与高速清洗流体接触;
※注:清洗釜体结构以及工装结构均以实际样品为依据设计、配置。
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